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广东省发改委主任葛长伟调研英诺赛科

Release time:2018-09-19 source:英诺赛科

▼广东省发改委主任葛长伟一行到我司考察▼

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广东省发改委主任葛长伟调研英诺赛科

9月18日下午,广东省发改委葛长伟主任一行,在珠海市高新区管委会苏虎主任、珠海市发改局王梦阳副局长等领导陪同下,来到英诺赛科(珠海)科技有限公司进行调研和座谈。

 

英诺赛科董事长骆薇薇博士陪同葛长伟主任等领导参观了公司展厅和洁净厂房,考察了公司自主研发的中国首条“8英寸硅基氮化镓”量产线和公司发布的硅基氮化镓增强型功率器件产品及应用示范。随后在座谈中,骆薇薇博士详细汇报了公司及行业发展情况,以及国家发展第三代半导体的重要战略意义及其广阔的市场前景。


▼葛主任考察英诺赛科芯片▼


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▼葛主任体验氮化镓应用-无线充电▼


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座谈交流

随后在座谈中,骆薇薇博士详细汇报了公司及行业发展情况,以及国家发展第三代半导体的重要战略意义及其广阔的市场前景。


葛长伟主任听取汇报后表示,广东省在芯片设计领域和应用方面发展得很不错,但在芯片制造领域确实比较薄弱。近期国家制定了粤港澳大湾区规划,提出了建设粤港澳大湾区国际科技创新中心的目标,迫切需要有一批掌握核心技术、有自主创新能力的企业来支撑。英诺赛科在第三代半导体领域初步具备了比较好的基础和竞争能力,希望公司继续努力,加快发展,保持技术领先和研发优势。


骆薇薇博士表示,对省发改委以及珠海市、区各级领导在项目建设、重大战略实施等各方面给予的支持和指导表示感谢。当前,正面临粤港澳大湾区新一轮发展机遇,公司将秉着科技创新引领的发展战略,努力实现在第三代半导体核心技术方面的持续创新突破,为国家的半导体事业发展做出贡献。