行业动态

技术研发 | 硅基氮化镓的优势和市场潜力

发布时间:2019-01-22 来源:MACOM科技

十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。在未来十年,氮化镓市场规模有望突破10亿美元。



║硅基氮化镓的市场潜力║


硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高,晶圆可以做得很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,晶圆的长度可以拉长至2米。硅基氮化镓器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。理论上相同击穿电压与导通电阻下的芯片面积仅为硅的千分之一,目前能做到十分之一。


在与LDMOS相比,硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高4到6倍,并且可扩展至高频率。同时,综合测试数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。


硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验证,这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用,并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术,其轰动性市场影响可能会远远超出手机连接领域,而将涉足运输、工业和娱乐应用等领域。


MACOM致力于推动GaN在主流应用中实现商业化,在这一领域发挥着重要的领导作用。MACOM还提供射频和微波行业中唯一包含硅基氮化镓 (GaN on Si) 的产品组合。以下一张图带你全面了解MACOM的硅基氮化镓技术和应用。


macom.jpg

           点击1551861242267230.jpg查看原文