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英诺赛科珠海基地年内投产!全球顶尖半导体产品有望“珠海造”

发布时间:2017-03-30 来源:英诺赛科

英诺赛科(珠海)科技有限公司是2015年12月由美国英诺赛科集团与珠海市高新创投等共同发起成立的半导体企业,一期项目坐落于珠海市高新区,共投资10.9亿元人民币,将以雄厚的技术实力打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试为一体的世界领先的宽禁带半导体企业。


英诺赛科公司已经拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术,攻克了一系列世界性的技术挑战,实现了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电的大尺寸硅基氮化镓晶圆的量产。经过两年的努力,公司已建成中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线,主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆及100V-650V氮化镓功率器件。产品的设计与性能均达到国际最先进水平,将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。


当日,珠海市副市长阎武、珠海市高新区书记闫昊波、中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田、欧洲微电子所(IMEC)副总裁Rudi Cartuyvels、德国爱思强(Aixtron)公司总裁Dr。 Felix J。 Grawert等众多政府领导及行业领袖出席了仪式。


珠海市高新区管委会副主任周火根代表市委市政府致辞,高度赞扬了公司一年来的高速成长及取得的卓越成绩,并勉励公司利用国际领先的核心技术、抓住机遇、抢占先机,解决我国半导体产业的技术瓶颈,带动上下游产业发展,助力我国半导体产业和先进制造业的崛起。


公司董事长骆薇薇博士及CEO孙在亨致辞,表示会发挥技术领先优势,将公司打造成世界级半导体企业,助推中国创新发展。


与会嘉宾参观了公司洁净车间及研发中心。在下午举行的现场研讨会上,多名业内知名专家就氮化镓技术发展、应用验证、市场拓展和公司运营等进行了战略研讨,一致认为:氮化镓产业已经到了爆发前夜,公司率先在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破,先机已备,为今后的成功奠定了良好基础,必将为中国在半导体领域实现“换道超车”做出重要贡献。



英诺赛科(珠海)单晶体新材料研发生产基地上,建材堆积、尘土飞扬,工人们要赶在近期完成主要厂房的内部装修,以便从4月起陆续进驻大量生产设备。“预计5月20日厂房将达到生产条件,经过数月调试后,年内可投产。”


位于珠海高新区的英诺赛科单晶体新材料研发生产基地是全市产业领域的重点项目,计划投资10.9亿元。未来,依靠英诺赛科世界首创的SGOS(锗硅晶体在蓝宝石衬底上的外延生长)技术,珠海有望诞生全球顶尖的半导体产品。