• 产品与行业应用
    产品
    行业应用
  • 8英寸硅基氮化镓IDM
  • 资讯中心
    公司新闻
    行业动态
    媒体中心
  • 加入我们
  • 走进英诺赛科
    关于我们
    员工风采
    联系我们
    隐私政策
  • 产品与行业应用

    • 产品
      • 单管GaN FET
      • 半桥GaN FET (Q3, 2019)
      • GaN IC (Q3, 2019)
      • 高压GaN Fet
    • 行业应用
      • 激光雷达
      • 无线充电与快充
      • 数据中心
      • 新能源汽车
      • 加湿器
  • 8英寸硅基氮化镓IDM

  • 资讯中心

    • 公司新闻
    • 行业动态
    • 媒体中心
  • 加入我们

  • 走进英诺赛科

    • 关于我们
    • 员工风采
    • 联系我们
    • 隐私政策
产品
行业应用
> 高压GaN Fet
> 产品
> 产品与行业应用
英诺赛科
高压GaN Fet
Part Number
Configuration
Voltage (V)
Typical Rdson (mΩ)
Qg (nC)
Id (A)
Package
Demo Boards
Contact
INN650D01
高压单管
650
130
1.5
22
DFA 8*8
联系人:陈钰林
电话:15989588925
邮箱:Larry@innoscience.com
INN650DA01
高压单管
650
130
1.5
22
DFA 5*6
联系人:陈钰林
电话:15989588925
邮箱:Larry@innoscience.com
INN650D02
高压单管
650
200
1.0
11
DFA 8*8
联系人:陈钰林
电话:15989588925
邮箱:Larry@innoscience.com
INN650D02A
高压单管
650
200
1.0
11
DFA 8*8
联系人:陈钰林
电话:15989588925
邮箱:Larry@innoscience.com
INN650DA02A
高压单管
650
200
1.0
11
DFA 5*6
联系人:陈钰林
电话:15989588925
邮箱:Larry@innoscience.com
INN650DA04
高压单管
650
400
无
11
DFA 5*6
联系人:陈钰林
电话:15989588925
邮箱:Larry@innoscience.com
公司地址:
广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号

江苏省苏州市吴江区黎里镇芦莘大道1066号
产品与行业应用
8英寸硅基氮化镓平台
资讯中心
加入我们
走进英诺赛科
返回头部




+86 (756) 3819888

info@innoscience.com

COPYRIGHT © 2018-2021 英诺赛科(珠海)科技有限公司 版权所有 ALL RIGHTS RESERVED. 粤ICP备18107445号-1  beiantubiao.png粤公网安备 44049102496430号  隐私政策  Powered by Yongsy