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8英寸硅基氮化镓产业化平台

产品

行业应用

GaN FET：更小，更快，更高效，更高功率密度。

GaN FET 正在激光雷达，数据中心等领域得到广泛应用。

单管GaN FET, 相对应用比较灵活，需配合驱动IC使用

半桥GaN FET, 上下管晶圆级集成，体积小，更易于PCB布板，具有更小的功率环路寄生电感

驱动IC和GaN FET晶圆级集成，易于PCB布板，具有更快驱动速度、更小驱动环路寄生电感

8英寸硅基氮化镓IDM

英诺赛科

公司拥有非常完善的8英寸硅基氮化镓产业化平台。

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硅基氮化镓IDM

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第三代半导体氮化镓全产业链企业

英诺赛科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海归团队发起，并集合了数十名国内外精英联合创办的第三代半导体电力电子器件研发与生产的高新技术企业。公司一期项目坐落于珠海市国家级高新区，并已建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际最先进水平。英诺赛科公司致力于打造中国功率半导体国际一流品牌，为国家半导体产业腾飞做出贡献。